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PSMN1R9-40PLQ

功能描述：MOSFET N-CH 40V 150A SOT78

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：150A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：120nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：13200pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：349W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：50

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